Vishay BC Components SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHG33N60E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
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내부 부품 번호EIS-SIHG33N60E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHG33N60E
제품 교육 모듈High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C33A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs99m옴 @ 16.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs150nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3508pF @ 100V
전력 - 최대278W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247AC
표준 포장 500
다른 이름SIHG33N60E-GE3CT
SIHG33N60E-GE3CT-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SIHG33N60E-GE3
관련 링크SIHG33N, SIHG33N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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