창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG33N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHG33N60EF-GE3 | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3454pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHG33N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG33N, SIHG33N60EF-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
TCG112U050N1G | 1100µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 1.05 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | TCG112U050N1G.pdf | ||
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ERJ-1GNJ1R2C | RES SMD 1.2 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ1R2C.pdf | ||
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CRCW080516R0JNEB | RES SMD 16 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080516R0JNEB.pdf | ||
PPT2-0100GFR2VS | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0100GFR2VS.pdf |