창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHG47N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHG47N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHG47N, SIHG47N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VS-20ETF06FP-M3 | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP | VS-20ETF06FP-M3.pdf | |
![]() | 26S220C | 22µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max Nonstandard | 26S220C.pdf | |
![]() | 0819R-34F | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 236mA 850 mOhm Max Axial | 0819R-34F.pdf | |
![]() | ERA-8AEB9091V | RES SMD 9.09K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB9091V.pdf | |
![]() | MP820-200-1% | RES 200 OHM 20W 1% TO220 | MP820-200-1%.pdf | |
![]() | CMF55232K00FHEK | RES 232K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55232K00FHEK.pdf | |
![]() | Y0789150K000T9L | RES 150K OHM 1/4W 0.01% RADIAL | Y0789150K000T9L.pdf | |
![]() | P51-200-S-H-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-H-I36-4.5OVP-000-000.pdf |