창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH14N60E-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHH14N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, and SiHH11N60E MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 255m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1416pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHH14N60E-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHH14N60E-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH14N6, SIHH14N60E-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | SIT9003AC-1-25DQ | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA | SIT9003AC-1-25DQ.pdf | |
![]() | RPS0500DH1001JB | RES CHAS MNT 1K OHM 5% 500W | RPS0500DH1001JB.pdf | |
![]() | MMA02040C4703FB300 | RES SMD 470K OHM 1% 0.4W 0204 | MMA02040C4703FB300.pdf | |
![]() | MRS25000C3093FCT00 | RES 309K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3093FCT00.pdf | |
![]() | CMF503K9200FKEB | RES 3.92K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF503K9200FKEB.pdf | |
![]() | Y07939K15000T0L | RES 9.15K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y07939K15000T0L.pdf | |
![]() | CP0020180R0JE14 | RES 180 OHM 20W 5% AXIAL | CP0020180R0JE14.pdf | |
![]() | EX-28A-C5 | SENSOR PHOTO 45-115MM NPN 12-24V | EX-28A-C5.pdf |