창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH14N65EF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHH14N65EF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 271m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1749pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SiHH14N65EF-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHH14N65EF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH14N65, SIHH14N65EF-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | GL111F33CET | 11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL111F33CET.pdf | |
![]() | 445W2XH25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W2XH25M00000.pdf | |
![]() | IRFHM830DTRPBF | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | IRFHM830DTRPBF.pdf | |
![]() | CR1206-FX-1332ELF | RES SMD 13.3K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-1332ELF.pdf | |
![]() | RT1206BRE0716KL | RES SMD 16K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0716KL.pdf | |
![]() | Y0035V0023TV9L | RES NETWORK 4 RES 500 OHM AXIAL | Y0035V0023TV9L.pdf | |
![]() | H8510KFDA | RES 510K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8510KFDA.pdf | |
![]() | CW01051K50JE12 | RES 51.5K OHM 13W 5% AXIAL | CW01051K50JE12.pdf |