Vishay BC Components SIHJ7N65E-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHJ7N65E-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHJ7N65E-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,227.61267
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHJ7N65E-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHJ7N65E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHJ7N65E-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHJ7N65E-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHJ7N65E-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHJ7N65E-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHJ7N65E-T1-GE3 | |
| 주요제품 | SIHJxN6xE E Series MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 598m옴@ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 96W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIHJ7N65E-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHJ7N65E-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHJ7N65, SIHJ7N65E-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHJ7N65E-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ0603D101MLAAJ | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D101MLAAJ.pdf | |
.jpg) | ECJ-4YF1C226Z | 22µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | ECJ-4YF1C226Z.pdf | |
 | ECW-H10273HV | 0.027µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) | ECW-H10273HV.pdf | |
 | 0251003.VXL | FUSE BRD MNT 3A 125VAC/VDC AXIAL | 0251003.VXL.pdf | |
| GL286F33IET | 28.63636MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL286F33IET.pdf | |
,-SC-63.jpg) | KSH41CTF | TRANS NPN 100V 6A DPAK | KSH41CTF.pdf | |
 | AO4496 | MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC | AO4496.pdf | |
 | ISC1210ER27NM | 27nH Shielded Wirewound Inductor 610mA 170 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER27NM.pdf | |
 | ERJ-2GEJ754X | RES SMD 750K OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ754X.pdf | |
.jpg) | PHP00805E3740BST1 | RES SMD 374 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E3740BST1.pdf | |
| 4304M-102-220LF | RES ARRAY 2 RES 22 OHM 4SIP | 4304M-102-220LF.pdf | |
| MBB02070D3409DC100 | RES 34 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D3409DC100.pdf |
