창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHJ8N60E-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHJ8N60E-T1-GE3 | |
주요제품 | SIHJxN6xE E Series MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 754pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHJ8N60E-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHJ8N60E-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHJ8N60, SIHJ8N60E-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | FDSD0420D-100M=P3 | 10µH Shielded Inductor 1.7A 200 mOhm Max Nonstandard | FDSD0420D-100M=P3.pdf | |
![]() | 0819-34F | 2.7µH Unshielded Molded Inductor 236mA 850 mOhm Max Axial | 0819-34F.pdf | |
![]() | 106-153K | 15µH Unshielded Inductor 135mA 5.2 Ohm Max Nonstandard | 106-153K.pdf | |
![]() | PRG3216P-2200-D-T5 | RES SMD 220 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-2200-D-T5.pdf | |
![]() | RT1206WRD074K12L | RES SMD 4.12KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD074K12L.pdf | |
![]() | RG2012V-3651-P-T1 | RES SMD 3.65KOHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-3651-P-T1.pdf | |
![]() | RCP2512B240RGEC | RES SMD 240 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B240RGEC.pdf | |
![]() | CRCW12061M00FKEC | RES SMD 1M OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061M00FKEC.pdf | |
![]() | CRCW12062K00JNTA | RES SMD 2K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12062K00JNTA.pdf |