창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP12N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiHF12N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHP12N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP12N, SIHP12N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 5KP36 | TVS DIODE 36VWM 61.01VC P600 | 5KP36.pdf | |
![]() | 7B12000046 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B12000046.pdf | |
![]() | 7M16000004 | 16MHz ±30ppm 수정 20pF -20°C ~ 90°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M16000004.pdf | |
![]() | SIT1618BA-23-33E-33.000000E | OSC XO 3.3V 33MHZ OE | SIT1618BA-23-33E-33.000000E.pdf | |
![]() | SMBG5341BE3/TR13 | DIODE ZENER 6.2V 5W SMBG | SMBG5341BE3/TR13.pdf | |
![]() | DSP2A-DC12V-R | General Purpose Relay DPST (2 Form A) 12VDC Coil Through Hole | DSP2A-DC12V-R.pdf | |
![]() | RPC0603JT12K0 | RES SMD 12K OHM 5% 1/10W 0603 | RPC0603JT12K0.pdf | |
![]() | RCWE0612R220FKEA | RES SMD 0.22 OHM 1% 1W 0612 | RCWE0612R220FKEA.pdf |