Vishay BC Components SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHP12N60E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHP12N60E-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,558.60800
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHP12N60E-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHP12N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP12N60E-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHP12N60E-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHP12N60E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHP12N60E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiHF12N60E
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs380m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs58nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds937pF @ 100V
전력 - 최대147W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHP12N60E-GE3
관련 링크SIHP12N, SIHP12N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHP12N60E-GE3 의 관련 제품
33pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K330K15C0GK53L2.pdf
0.56µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP B32560J1564J.pdf
1200pF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) MKP385212125JCM2B0.pdf
0.068µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) MKP385368040JC02H0.pdf
2µF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.732" L x 0.866" W (44.00mm x 22.00mm) MKP386M520085JT8.pdf
4.194304MHz ±50ppm 수정 18pF 25옴 0°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ABLS-LR-4.194304MHZ-T.pdf
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 IRFS4010-7PPBF.pdf
RES SMD 1.4K OHM 1% 1/10W 0603 AF0603FR-071K4L.pdf
RES 2.94K OHM 1/2W 1% AXIAL SFR25H0002941FR500.pdf
RES 7.68 OHM 1W 1% AXIAL CMF607R6800FKR6.pdf
RES 47 OHM 13W 5% AXIAL CW01047R00JE73HE.pdf
SAFETY LIGHT CURTAIN MS4800B-14-1120.pdf