창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP22N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHP22N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1920pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHP22N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP22N, SIHP22N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | B41458B9339M3 | 33000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 6 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B41458B9339M3.pdf | |
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![]() | VJ0603D180FXAAJ | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180FXAAJ.pdf | |
![]() | MR052A2R7DAA | 2.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR052A2R7DAA.pdf | |
![]() | BFC247944164 | 0.16µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.256" W (18.50mm x 6.50mm) | BFC247944164.pdf | |
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![]() | ASV2-50.000MHZ-R-L1-T | 50MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | ASV2-50.000MHZ-R-L1-T.pdf | |
![]() | RB161L-40TE25 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A PMDS | RB161L-40TE25.pdf | |
![]() | DRA2115T0L | TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 | DRA2115T0L.pdf | |
LQH31MN6R8J03L | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 2.6 Ohm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31MN6R8J03L.pdf | ||
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