창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP24N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHG24N65E Packaging Information | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP24N65E-GE3CT SIHP24N65E-GE3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHP24N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP24N, SIHP24N65E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ1808Y331MXPAT5Z | 330pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | VJ1808Y331MXPAT5Z.pdf | |
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![]() | 1025R-36H | 4.7µH Unshielded Molded Inductor 239mA 1.2 Ohm Max Axial | 1025R-36H.pdf | |
![]() | ADUM230D1BRWZ-RL | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 3 Channel 150Mbps 75kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ADUM230D1BRWZ-RL.pdf | |
![]() | AT1206CRD07825RL | RES SMD 825 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07825RL.pdf | |
![]() | CMF554R9900FKEK | RES 4.99 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554R9900FKEK.pdf | |
![]() | SF4B-F63(V2) | LIGHT CURTAIN FINGER 630MM | SF4B-F63(V2).pdf | |
![]() | B57221V2332J60 | NTC Thermistor 3.3k 0402 (1005 Metric) | B57221V2332J60.pdf |