Vishay BC Components SIHP28N60EF-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHP28N60EF-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHP28N60EF-GE3 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,479.22440
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHP28N60EF-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHP28N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP28N60EF-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHP28N60EF-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHP28N60EF-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP28N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHP28N60EF-GE3 | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 123m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2714pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP28N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP28N, SIHP28N60EF-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHP28N60EF-GE3 의 관련 제품
 | 885012008012 | 100pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012008012.pdf | |
.85mm.jpg) | GCJ21BR71H224KA01L | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GCJ21BR71H224KA01L.pdf | |
 | VJ1812Y334JBBAT4X | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y334JBBAT4X.pdf | |
 | FL2500133 | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FL2500133.pdf | |
 | ES1GE-TP | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | ES1GE-TP.pdf | |
 | 2SD2138APA | TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4 | 2SD2138APA.pdf | |
 | S0603-56NF2C | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 340 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-56NF2C.pdf | |
 | CRCW08054K32FKEB | RES SMD 4.32K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054K32FKEB.pdf | |
 | CW01035R00KE12 | RES 35 OHM 13W 10% AXIAL | CW01035R00KE12.pdf | |
| 93J7K5 | RES 7.5K OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J7K5.pdf | |
 | 59090-5-T-05-F | Magnetic Reed Switch Ferrous Vane SPST-NC Wire Leads Module | 59090-5-T-05-F.pdf | |
| E3T-SR31-M1TJ 0.3M | SENSOR RETROREFL 0.3M LT ON NPN | E3T-SR31-M1TJ 0.3M.pdf |
