창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP5N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Packaging Information SIHP5N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP5N50D-E3CT SIHP5N50D-E3CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHP5N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHP5N, SIHP5N50D-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 06031A3R0BAT2A | 3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A3R0BAT2A.pdf | |
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![]() | ERZ-C07DK221U | VARISTOR 220V 1.2KA DISC 7MM | ERZ-C07DK221U.pdf | |
![]() | AISC-1008-5R6G-T | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 5.7 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-5R6G-T.pdf | |
![]() | G3VM-353B | Solid State Relay SPST-NC (1 Form B) 6-DIP (0.300", 7.62mm) | G3VM-353B.pdf | |
![]() | SDS1S110A | SS TIMR RPT CYCLE, 1S, 110VAC | SDS1S110A.pdf | |
![]() | AA0402FR-073M16L | RES SMD 3.16M OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-073M16L.pdf | |
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![]() | RP73D2A13K3BTG | RES SMD 13.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A13K3BTG.pdf | |
![]() | Y008911K5000BR23R | RES 11.5K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y008911K5000BR23R.pdf |