창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHP7N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Packaging Information SIHP7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHP7N60EGE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHP7N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHP7N, SIHP7N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
ESRD121M04B | 120µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 15 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | ESRD121M04B.pdf | ||
UHV1A331MED1TD | 330µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHV1A331MED1TD.pdf | ||
SLPX561M315H5P3 | 560µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 355 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | SLPX561M315H5P3.pdf | ||
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C0402C270K4GACTU | 27pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C270K4GACTU.pdf | ||
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RT0805BRC071K65L | RES SMD 1.65K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC071K65L.pdf | ||
CRCW0402620RFKTD | RES SMD 620 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402620RFKTD.pdf | ||
10010-3 | RF Directional Coupler Military 225MHz ~ 400MHz 3dB 250W | 10010-3.pdf |