창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHS36N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHS36N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Mold Compounds 25/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3233pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 446W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | SUPER-247(TO-274AA) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHS36N50DE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHS36N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHS36, SIHS36N50D-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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THJC106M025RJN | 10µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | THJC106M025RJN.pdf | ||
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![]() | MNR18E0APJ270 | RES ARRAY 8 RES 27 OHM 1506 | MNR18E0APJ270.pdf | |
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![]() | XPCL04DTC | Pressure Sensor 0.15 PSI (1 kPa) Differential Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0 mV ~ 25 mV (12V) 4-SIP Module | XPCL04DTC.pdf |