Vishay BC Components SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3
제조업체 부품 번호
SIHU3N50D-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHU3N50D-E3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 448.34533
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHU3N50D-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHU3N50D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU3N50D-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHU3N50D-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHU3N50D-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHU3N50D-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHU3N50D
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds175pF @ 100V
전력 - 최대69W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지TO-251AA
표준 포장 3,000
다른 이름SIHU3N50D-E3CT
SIHU3N50D-E3CT-ND
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHU3N50D-E3
관련 링크SIHU3N, SIHU3N50D-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHU3N50D-E3 의 관련 제품
150µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C 381LX151M250K202.pdf
20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06035A200JAT2A.pdf
220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 0805AC221MAT1A.pdf
5000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 562RX7RBA102EK502M.pdf
0.10µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) 3640AC104MAT9A.pdf
Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) BFC241904703.pdf
2.2 ~ 22pF Trimmer Capacitor 100V Top and Bottom Adjustment Through Hole 0.335" L x 0.295" W (8.50mm x 7.50mm) GYA22002.pdf
48MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 50mA Enable/Disable CB3-2I-48M0000.pdf
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 84mA SIT9002AI-18H33DB.pdf
680µH Shielded Inductor 610mA 1.078 Ohm Max Nonstandard CDRH12D58RNP-681MC.pdf
RES SMD 2.61K OHM 1% 1/20W 0201 RMCF0201FT2K61.pdf
RES ARRAY 2 RES 10 OHM 0606 CAT16-100J2GLF.pdf