Vishay BC Components SIHU5N50D-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHU5N50D-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHU5N50D-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 518.91833
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHU5N50D-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHU5N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU5N50D-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHU5N50D-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHU5N50D-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHU5N50D-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHU5N50D TO-251AA (IPAK) Pkg Drawing | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHU5N50D-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHU5N, SIHU5N50D-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHU5N50D-GE3 의 관련 제품
 | SEK101M6R3ST | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 3.45 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SEK101M6R3ST.pdf | |
 | 04023U1R5BAT2A | 1.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023U1R5BAT2A.pdf | |
 | VJ0402D2R0CLCAP | 2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R0CLCAP.pdf | |
 | TD-19.440MDE-T | 19.44MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TD-19.440MDE-T.pdf | |
 | SIT8918AA-13-33E-10.000000E | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT8918AA-13-33E-10.000000E.pdf | |
 | ASPI-0418FS-3R3M-T3 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 55 mOhm Nonstandard | ASPI-0418FS-3R3M-T3.pdf | |
 | 7847709010 | 1µH Shielded Wirewound Inductor 9.2A 8.5 mOhm Max Nonstandard | 7847709010.pdf | |
 | ERJ-P6WF3303V | RES SMD 330K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF3303V.pdf | |
.jpg) | AT0402DRD0778R7L | RES SMD 78.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD0778R7L.pdf | |
 | ERJ-S12F1911U | RES SMD 1.91K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F1911U.pdf | |
 | CF1JT82R0 | RES 82 OHM 1W 5% CARBON FILM | CF1JT82R0.pdf | |
 | RNF14BAE5K11 | RES 5.11K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE5K11.pdf |
