창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHU5N50D-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHU5N50D TO-251AA (IPAK) Pkg Drawing | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | TO-251 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHU5N50D-GE3 | |
관련 링크 | SIHU5N, SIHU5N50D-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 1.5SMC6.8AHE3/57T | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO214AB | 1.5SMC6.8AHE3/57T.pdf | |
![]() | 445C33S27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33S27M00000.pdf | |
![]() | 416F384X2CSR | 38.4MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2CSR.pdf | |
![]() | CRCW121068K0FKEAHP | RES SMD 68K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121068K0FKEAHP.pdf | |
![]() | PHP00603E8160BBT1 | RES SMD 816 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E8160BBT1.pdf | |
![]() | AF164-FR-0710K2L | RES ARRAY 4 RES 10.2K OHM 1206 | AF164-FR-0710K2L.pdf | |
![]() | MBB02070C3920DRP00 | RES 392 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C3920DRP00.pdf | |
![]() | NCF3340AHN/003Y | IC MIFARE SMART CARD 40HVQFN | NCF3340AHN/003Y.pdf |