Vishay BC Components SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3
제조업체 부품 번호
SIHU5N50D-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHU5N50D-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 518.91833
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHU5N50D-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHU5N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU5N50D-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHU5N50D-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHU5N50D-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHU5N50D-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHU5N50D
TO-251AA (IPAK) Pkg Drawing
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5옴 @ 2.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds325pF @ 100V
전력 - 최대104W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지TO-251
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHU5N50D-GE3
관련 링크SIHU5N, SIHU5N50D-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHU5N50D-GE3 의 관련 제품
SNAPMOUNTS 380LX681M250K032.pdf
TVS DIODE 64VWM 103VC SMA SMAJ64CAHE3/5A.pdf
OSC XO 3.3V 50MHZ OE SIT8918BA-13-33E-50.00000D.pdf
DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 1N4756CP/TR8.pdf
180µH Shielded Inductor 69mA 9.4 Ohm Max Nonstandard M1331-184K.pdf
RES SMD 0.033 OHM 1% 1W 1206 ERJ-8CWFR033V.pdf
RES SMD 187K OHM 1% 3/4W 2010 ERJ-12SF1873U.pdf
RES SMD 10K OHM 1% 1/20W 0201 RC0201FR-0710KP.pdf
RES SMD 11.8 OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW080511R8BEEN.pdf
RES SMD 22.1 OHM 0.5% 1/10W 0603 CRCW060322R1DKEAP.pdf
RES 2.7 OHM 2W 5% AXIAL PNP200JR-52-2R7.pdf
SENSOR TEMPERATURE 3-WIRE 8SO DS1620S+.pdf