창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHU6N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHU6N65E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 820pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 긴 리드(Lead), IPak, TO-251AB | |
공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHU6N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHU6N, SIHU6N65E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | XPGWHT-U1-R250-007Z8 | LED Lighting XLamp® XP-G White, Warm 2700K 2.9V 350mA 125° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGWHT-U1-R250-007Z8.pdf | |
![]() | LHL10NB120K | 12µH Unshielded Inductor 2.8A 38 mOhm Max Radial | LHL10NB120K.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F2053V | RES SMD 205K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F2053V.pdf | |
![]() | AA0805FR-077K32L | RES SMD 7.32K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-077K32L.pdf | |
![]() | AT0402DRE079K09L | RES SMD 9.09KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE079K09L.pdf | |
![]() | RT1210FRD073K3L | RES SMD 3.3K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD073K3L.pdf | |
![]() | RT0805WRD072K74L | RES SMD 2.74KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD072K74L.pdf | |
![]() | CRCW060312K0JNEB | RES SMD 12K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060312K0JNEB.pdf |