창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHW23N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHW23N60E-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHW23N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHW23N, SIHW23N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ0805D111MLCAJ | 110pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111MLCAJ.pdf | |
![]() | T95C107M016HZSL | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2812 (7132 Metric) 90 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) | T95C107M016HZSL.pdf | |
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![]() | SIT8008AIB8-28E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIB8-28E.pdf | |
![]() | SI3447CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP | SI3447CDV-T1-E3.pdf | |
![]() | HCPL-4100-000E | Optoisolator Current Loop Transmitter 3750Vrms 1 Channel 8-DIP | HCPL-4100-000E.pdf | |
![]() | MCS04020D3301BE100 | RES SMD 3.3K OHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D3301BE100.pdf | |
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