Vishay BC Components SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3
제조업체 부품 번호
SIHW30N60E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHW30N60E-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1332 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,637.37080
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHW30N60E-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHW30N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHW30N60E-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHW30N60E-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHW30N60E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHW30N60E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiHW30N60E
제품 교육 모듈High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014
SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C29A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs130nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2600pF @ 100V
전력 - 최대250W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-247AD
표준 포장 500
다른 이름SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHW30N60E-GE3
관련 링크SIHW30N, SIHW30N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHW30N60E-GE3 의 관련 제품
33µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C UVP1E330MED.pdf
12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) VJ1206A120KBCAT4X.pdf
Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) BFC241735603.pdf
TRON TIME DELAY PLUG FUSE BP/TL-15.pdf
FUSE MOD 600A 700V BLADE SPP-5H600.pdf
VARISTOR 27V 1KA DISC 14MM B72214S1170K102.pdf
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 BAS516,115.pdf
2.7µH Unshielded Inductor 1.011A 120 mOhm Max Nonstandard P160R-272HS.pdf
RF Relay DPDT (2 Form C) Through Hole MW6HP-5P.pdf
RES SMD 634 OHM 1% 1/20W 0201 AC0201FR-07634RL.pdf
RES SMD 29.4K OHM 1% 1/32W 01005 RC0100FR-0729K4L.pdf
RES SMD 3.09M OHM 1% 1W 2010 RMCP2010FT3M09.pdf