Vishay BC Components SIHW33N60E-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIHW33N60E-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIHW33N60E-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1230 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,671.80000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIHW33N60E-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHW33N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHW33N60E-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIHW33N60E-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIHW33N60E-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHW33N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIHG33N60E | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3508pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SIHW33N60E-GE3CT SIHW33N60E-GE3CT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIHW33N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHW33N, SIHW33N60E-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIHW33N60E-GE3 의 관련 제품
 | C911U510JUSDAA7317 | 51pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U510JUSDAA7317.pdf | |
 | M551B828K006AS | 8200µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 6V M55 Module 15 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B828K006AS.pdf | |
 | TH3D685M035C0900 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D685M035C0900.pdf | |
| XLH536100.000JS4I | 100MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | XLH536100.000JS4I.pdf | |
 | SIT9002AC-33N33EO | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA Enable/Disable | SIT9002AC-33N33EO.pdf | |
 | IPP60R600E6 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | IPP60R600E6.pdf | |
.jpg) | HKQ0603S3N7C-T | 3.7nH Unshielded Multilayer Inductor 220mA 440 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603S3N7C-T.pdf | |
| 0402R-4N7J | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 130 mOhm Max 2-SMD | 0402R-4N7J.pdf | |
| 2967426 | Relay Socket DIN Rail | 2967426.pdf | |
 | CRCW251218K0FKEG | RES SMD 18K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251218K0FKEG.pdf | |
 | RCP0505B820RGEA | RES SMD 820 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B820RGEA.pdf | |
 | RCP2512W50R0JET | RES SMD 50 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W50R0JET.pdf |
