창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR404DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR404DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8130pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR404DP-T1-GE3TR SIR404DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR404DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR404D, SIR404DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 3KASMC40AHE3_A/H | TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB | 3KASMC40AHE3_A/H.pdf | |
![]() | CE3390-45.000 | 45MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | CE3390-45.000.pdf | |
![]() | EAISR3216A0 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.5V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 160° 1206 (3216 Metric) | EAISR3216A0.pdf | |
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![]() | SM6227JT5R60 | RES SMD 5.6 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JT5R60.pdf | |
![]() | CRCW06039M31FKTA | RES SMD 9.31M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039M31FKTA.pdf | |
![]() | CMF5515R800DHEA | RES 15.8 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5515R800DHEA.pdf | |
![]() | P51-200-A-Z-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-Z-I36-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | EMC1414-1-AIZL-TR | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 10MSOP | EMC1414-1-AIZL-TR.pdf |