창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR414DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR414DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR414DP-T1-GE3TR SIR414DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR414DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR414D, SIR414DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
MAL211890012E3 | 15µF 200V Aluminum Capacitors Axial, Can 4.76 Ohm @ 100Hz 8000 Hrs @ 125°C | MAL211890012E3.pdf | ||
0154008.DRL | FUSE BRD MNT 8A 125VAC/VDC 2SMD | 0154008.DRL.pdf | ||
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SIT1602AIB8-18S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Standby | SIT1602AIB8-18S.pdf | ||
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MCR03EZPFX4871 | RES SMD 4.87K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX4871.pdf | ||
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CSRN2512JTR390 | RES SMD 0.39 OHM 5% 2W 2512 | CSRN2512JTR390.pdf | ||
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CPL07R1000FB143 | RES 0.1 OHM 7W 1% AXIAL | CPL07R1000FB143.pdf |