창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR414DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR414DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR414DP-T1-GE3TR SIR414DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR414DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR414D, SIR414DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | DSC1001AE5-022.5792 | 22.5792MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001AE5-022.5792.pdf | |
![]() | DSC1101DM2-056.2500 | 56.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101DM2-056.2500.pdf | |
![]() | FZTA92TA | TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223 | FZTA92TA.pdf | |
![]() | 2256-41J | 2.2mH Unshielded Molded Inductor 141mA 20 Ohm Max Axial | 2256-41J.pdf | |
![]() | RE0603DRE0768KL | RES SMD 68K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE0768KL.pdf | |
![]() | TNPW1206626RBEEA | RES SMD 626 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206626RBEEA.pdf | |
![]() | H816R9BDA | RES 16.9 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H816R9BDA.pdf | |
![]() | CMF5512K700FKBF | RES 12.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5512K700FKBF.pdf | |
![]() | UPC8172TB-E3-A | RF Mixer IC Cellular, DCS, PCS, W-CDMA, WLAN Up Converter 50MHz ~ 400MHz 6-SuperMiniMold | UPC8172TB-E3-A.pdf |