창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR440DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR440DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR440DP-T1-GE3TR SIR440DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR440DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR440D, SIR440DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
885012008031 | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012008031.pdf | ||
06033A1R8DAT2A | 1.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A1R8DAT2A.pdf | ||
08051A1R5BAT4A | 1.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A1R5BAT4A.pdf | ||
VJ0603D151GLAAJ | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151GLAAJ.pdf | ||
80B-2 | TELCOM FUSE | 80B-2.pdf | ||
RG1005V-6490-W-T1 | RES SMD 649 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-6490-W-T1.pdf | ||
Y11696K25000T9L | RES SMD 6.25K OHM 0.6W J LEAD | Y11696K25000T9L.pdf | ||
CRCW0201232RFNED | RES SMD 232 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201232RFNED.pdf | ||
SFR16S0002213FR500 | RES 221K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0002213FR500.pdf | ||
CPCP0250R00JB32 | RES 50 OHM 2W 5% RADIAL | CPCP0250R00JB32.pdf | ||
KAI-08670-FXA-JD-B1 | CCD Image Sensor 3600H x 2400V 7.4µm x 7.4µm 72-CPGA (47.24x45.34) | KAI-08670-FXA-JD-B1.pdf | ||
P51-300-S-B-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-S-B-I12-4.5V-000-000.pdf |