창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR462DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR462DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1155pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 41.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR462DP-T1-GE3TR SIR462DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR462DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR462D, SIR462DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | CL31B154KCHNNNF | 0.15µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31B154KCHNNNF.pdf | |
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![]() | SIT1602BI-33-33E-74.250000T | OSC XO 3.3V 74.25MHZ OE | SIT1602BI-33-33E-74.250000T.pdf | |
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![]() | CMF55432K00BER6 | RES 432K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55432K00BER6.pdf | |
![]() | NSCSAAN001PDUNV | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.19" (4.93mm) Tube, Dual 0 mV ~ 65 mV (5V) 4-SIP, Dual Ports, Opposite Sides | NSCSAAN001PDUNV.pdf |