Vishay BC Components SIR638DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR638DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIR638DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 794.68647
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIR638DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR638DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR638DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIR638DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR638DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR638DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PowerPak SO-8 Drawing SiR638DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.88m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 204nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIR638DP-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIR638DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR638D, SIR638DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIR638DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | MALREKV00DE210XG0K | 10µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 26.5 Ohm @ 120Hz 10000 Hrs @ 105°C | MALREKV00DE210XG0K.pdf | |
| ESMM421VNN151MQ30T | 150µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2.21 Ohm 3000 Hrs @ 85°C | ESMM421VNN151MQ30T.pdf | |
| 1210CC103KAT1AJ | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 1210CC103KAT1AJ.pdf | |
 | DSC1101AI2-033.3333T | 33.3333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101AI2-033.3333T.pdf | |
 | LQW15AN2N9C00D | 2.9nH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 70 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN2N9C00D.pdf | |
.jpg) | RC0201FR-07215KL | RES SMD 215K OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-07215KL.pdf | |
 | CRCW251211R0FKEG | RES SMD 11 OHM 1% 1W 2512 | CRCW251211R0FKEG.pdf | |
.jpg) | AR0805FR-075R76L | RES SMD 5.76 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-075R76L.pdf | |
.jpg) | AA0201FR-071K18L | RES SMD 1.18K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-071K18L.pdf | |
 | AC1218JK-074R7L | RES SMD 4.7 OHM 1W 1812 WIDE | AC1218JK-074R7L.pdf | |
 | CRCW201062R0JNEFHP | RES SMD 62 OHM 5% 1W 2010 | CRCW201062R0JNEFHP.pdf | |
 | GX-M18B | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP68, IP69K Cylinder, Threaded - M18 | GX-M18B.pdf |
