Vishay BC Components SIR688DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR688DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIR688DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 726.48567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIR688DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR688DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR688DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIR688DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR688DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR688DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PowerPak SO-8 Drawing SIR688DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3105pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIR688DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR688D, SIR688DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIR688DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | UPJ1HR47MDD1TD | 0.47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPJ1HR47MDD1TD.pdf | |
 | UPM2C100MPD1TD | 10µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM2C100MPD1TD.pdf | |
-55.jpg) | C1608JB0G226M080AA | 22µF 4V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB0G226M080AA.pdf | |
 | 06035A181GAT2A | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A181GAT2A.pdf | |
 | BFC237344125 | 1.2µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | BFC237344125.pdf | |
 | DMTH4007SPDQ-13 | MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 | DMTH4007SPDQ-13.pdf | |
 | ISC1210BN560J | 56µH Shielded Wirewound Inductor 95mA 10 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BN560J.pdf | |
 | S1812-271K | 270nH Shielded Inductor 1.053A 180 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-271K.pdf | |
| 2534-30K | 1.8mH Unshielded Molded Inductor 110mA 14 Ohm Max Radial | 2534-30K.pdf | |
 | MCA12060D3482BP100 | RES SMD 34.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D3482BP100.pdf | |
 | YC124-FR-07470RL | RES ARRAY 4 RES 470 OHM 0804 | YC124-FR-07470RL.pdf | |
| GP-XC8S-P | DIA.8MM HEAD W/PNP CONTROLLER | GP-XC8S-P.pdf |
