창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR802DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR802DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1785pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 27.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR802DP-T1-GE3TR SIR802DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR802DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR802D, SIR802DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ1808A151JBFAT4X | 150pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A151JBFAT4X.pdf | |
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![]() | 3-1879064-3 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 3-1879064-3.pdf | |
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![]() | PA1032NLT | XFRMR FLYBACK 5W 46.6UH SMD | PA1032NLT.pdf | |
![]() | S1812-821H | 820nH Shielded Inductor 614mA 530 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-821H.pdf | |
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![]() | ERJ-S12F2150U | RES SMD 215 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F2150U.pdf | |
![]() | RL3720WS-R68-G | RES SMD 0.68 OHM 1W 1508 WIDE | RL3720WS-R68-G.pdf | |
![]() | CRCW0603124KFHTAP | RES SMD 124K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603124KFHTAP.pdf | |
![]() | P51-1000-S-P-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1000-S-P-M12-5V-000-000.pdf |