Vishay BC Components SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIR818DP-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Datesheet 다운로드
다운로드
SIR818DP-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 570.81024
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIR818DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR818DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR818DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIR818DP-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIR818DP-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIR818DP-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIR818DP-T1-GE3
제품 교육 모듈30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.8m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs95nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3660pF @ 15V
전력 - 최대69W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8
표준 포장 3,000
다른 이름SIR818DP-T1-GE3-ND
SIR818DP-T1-GE3TR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIR818DP-T1-GE3
관련 링크SIR818D, SIR818DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIR818DP-T1-GE3 의 관련 제품
4700pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) C967U472MYWDCAWL40.pdf
16µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 0.984" W (57.50mm x 25.00mm) MKP385616040JYI2T0.pdf
100µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) TRJE107K020RRJ.pdf
OSC XO 2.5V 27MHZ OE SIT1602AC-12-25E-27.000000D.pdf
DIODE ZENER 18V 1W DO41 1N4746A,133.pdf
JFET P-CH 30V TO-18 2N5115-E3.pdf
15µH Unshielded Inductor 194mA 4 Ohm Max 2-SMD 1008R-153F.pdf
2.2µH Unshielded Inductor 230mA 900 mOhm Max 2-SMD 3094R-222HS.pdf
I²C Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 1Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) ISO1540DR.pdf
RES SMD 196 OHM 0.1% 1/4W 1206 RT1206BRE07196RL.pdf
RES SMD 100 OHM 0.02% 3/4W 2512 Y4027100R000Q0W.pdf
INFRARED WALL SWITCH SENSOR LHIRS1-G-BK.pdf