창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR818DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR818DP-T1-GE3 | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR818DP-T1-GE3-ND SIR818DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR818DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR818D, SIR818DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | SIT8008ACE1-28S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT8008ACE1-28S.pdf | |
![]() | FNR2E-100RF1 | RES CHAS MNT 100 OHM 1% 80W | FNR2E-100RF1.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF3571X | RES SMD 3.57K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF3571X.pdf | |
![]() | AT1206CRD07249RL | RES SMD 249 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07249RL.pdf | |
![]() | TNPW080520R0BETA | RES SMD 20 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080520R0BETA.pdf | |
![]() | TNPW120626R7BEEN | RES SMD 26.7 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120626R7BEEN.pdf | |
![]() | EXB-Q16P223J | RES ARRAY 15 RES 22K OHM 1506 | EXB-Q16P223J.pdf | |
4310M-101-222 | RES ARRAY 9 RES 2.2K OHM 10SIP | 4310M-101-222.pdf | ||
![]() | ICE3AR0680JZXKLA1 | Converter Offline Flyback Topology 100kHz PG-DIP-7 | ICE3AR0680JZXKLA1.pdf |