Vishay BC Components SIR850DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR850DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIR850DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 474.43968
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIR850DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR850DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR850DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIR850DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR850DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR850DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIR850DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1120pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 41.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIR850DP-T1-GE3TR SIR850DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIR850DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR850D, SIR850DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIR850DP-T1-GE3 의 관련 제품
-2.2.jpg) | CGA8M2NP01H104J200KA | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8M2NP01H104J200KA.pdf | |
 | FK20X7R1E106M | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | FK20X7R1E106M.pdf | |
 | LD063C474KAB2A | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD063C474KAB2A.pdf | |
 | C1812C474M5RACTU | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C474M5RACTU.pdf | |
 | UPTB28/TR7 | TVS DIODE 28VWM POWERMITE | UPTB28/TR7.pdf | |
 | ASCO2-27.120MHZ-L-T3 | 27.12MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 3.5mA Enable/Disable | ASCO2-27.120MHZ-L-T3.pdf | |
 | ZMM5232B-13 | DIODE ZENER 5.6V 500MW MINIMELF | ZMM5232B-13.pdf | |
 | STN93003 | TRANS PNP 400V 1.5A SOT-223 | STN93003.pdf | |
 | IXTN200N10L2 | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | IXTN200N10L2.pdf | |
 | IXT-1-1N100S1 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | IXT-1-1N100S1.pdf | |
 | 6N135S(TA) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-SMD | 6N135S(TA).pdf | |
| MK1961FE-R52 | RES 1.96K OHM 1/4W 1% AXIAL | MK1961FE-R52.pdf |
