창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR874DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIR874DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 985pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 29.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIR874DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR874D, SIR874DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | VJ0603D4R7BLCAC | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R7BLCAC.pdf | |
![]() | MKP1845315405 | 0.015µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.256" Dia x 0.669" L (6.50mm x 17.00mm) | MKP1845315405.pdf | |
![]() | STP30NF20 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-220 | STP30NF20.pdf | |
![]() | MLG0603P20NHTD25 | 20nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 1.9 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P20NHTD25.pdf | |
![]() | PD0120.222NLT | 2.6µH Unshielded Wirewound Inductor 11.4A 4.2 mOhm Max Nonstandard | PD0120.222NLT.pdf | |
![]() | 2500-04G | 330µH Unshielded Molded Inductor 120mA 9.1 Ohm Max Axial | 2500-04G.pdf | |
![]() | MCR18ERTF6800 | RES SMD 680 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF6800.pdf | |
![]() | RG3216N-1822-D-T5 | RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1822-D-T5.pdf | |
![]() | AF122-FR-07237KL | RES ARRAY 2 RES 237K OHM 0404 | AF122-FR-07237KL.pdf |