Vishay BC Components SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3
제조업체 부품 번호
SIR882ADP-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Datesheet 다운로드
다운로드
SIR882ADP-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,200.92544
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIR882ADP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR882ADP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR882ADP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIR882ADP-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIR882ADP-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIR882ADP-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiR882ADP
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
주요제품ThunderFETs
PCN 조립/원산지Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C60A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.7m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs60nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1975pF @ 50V
전력 - 최대83W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8
표준 포장 3,000
다른 이름SIR882ADP-T1-GE3TR
SIR882ADPT1GE3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIR882ADP-T1-GE3
관련 링크SIR882AD, SIR882ADP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIR882ADP-T1-GE3 의 관련 제품
8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CC0201DRNPO9BN8R2.pdf
0.27µF Film Capacitor 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 3925 (9863 Metric) 0.386" L x 0.248" W (9.80mm x 6.30mm) FCN3925E274K-V.pdf
5.5 ~ 20pF Trimmer Capacitor 500V Top Adjustment Surface Mount Rectangular - 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) SGC3S200.pdf
19.6608MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 25mA Enable/Disable ECS-2200B-196.pdf
2.1nH Unshielded Thin Film Inductor 200mA 700 mOhm Max 0201 (0603 Metric) 2-2176075-1.pdf
100nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 610 mOhm Max 0603 (1608 Metric) S0603-101NF3D.pdf
RES SMD 39K OHM 5% 1W 2512 RMCF2512JT39K0.pdf
RES SMD 8.2K OHM 5% 1W 2512 RC2512JK-078K2L.pdf
RES SMD 45.3 OHM 1% 1W 2010 RMCP2010FT45R3.pdf
RES SMD 38.3 OHM 1% 3W 6227 SM6227FT38R3.pdf
RES SMD 510 OHM 5% 1/16W 0402 CRCW0402510RJNTD.pdf
Humidity Temperature Sensor 0 ~ 100% RH I²C ±2% 8s Surface Mount 2857.pdf