Vishay BC Components SIR890DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR890DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIR890DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,349.18784
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIR890DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIR890DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR890DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIR890DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR890DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR890DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIR890DP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2747pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIR890DP-T1-GE3TR SIR890DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIR890DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR890D, SIR890DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIR890DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | K182M10X7RH5UH5 | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K182M10X7RH5UH5.pdf | |
 | MKP385368250JKP2T0 | 0.068µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.827" W (31.00mm x 21.00mm) | MKP385368250JKP2T0.pdf | |
 | 2049-47-BT1LF | GDT 470V 30% 15KA THROUGH HOLE | 2049-47-BT1LF.pdf | |
-5.00-mm-x-3.20-mm.jpg) | DSC1030BI1-012.2880T | 12.288MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1030BI1-012.2880T.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1003CI1-070.0000 | 70MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 ~ 3.3V 9.6mA Standby (Power Down) | DSC1003CI1-070.0000.pdf | |
 | EVM-3YSX50B13 | 1k Ohm 0.15W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | EVM-3YSX50B13.pdf | |
 | AIUR-02H-120K | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 49 mOhm Max Radial | AIUR-02H-120K.pdf | |
| CDRH4D16FB/NP-6R8NC | 6.8µH Shielded Inductor 1.5A 81.25 mOhm Max Nonstandard | CDRH4D16FB/NP-6R8NC.pdf | |
.jpg) | RT0805FRE07487RL | RES SMD 487 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE07487RL.pdf | |
.jpg) | RT1206DRE07499RL | RES SMD 499 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07499RL.pdf | |
| RT1206CRC07150KL | RES SMD 150K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07150KL.pdf | |
 | GX-H15BI-P-C5 | Inductive Proximity Sensor 0.165" (4.2mm) IP68 Module | GX-H15BI-P-C5.pdf |
