창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIRA06DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIRA06DP PowerPak SO-8 Drawing | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3595pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 62.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIRA06DP-T1-GE3TR SIRA06DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIRA06DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIRA06D, SIRA06DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | FXO-HC536-24 | 24MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC536-24.pdf | |
![]() | B39431B3735H110 | FILTER SAW 433.42MHZ SMD | B39431B3735H110.pdf | |
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![]() | LK21255R6M-T | 5.6µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LK21255R6M-T.pdf | |
![]() | B82464A4152M | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 6.5A 10 mOhm Max Nonstandard | B82464A4152M.pdf | |
![]() | AT0805CRD0730K1L | RES SMD 30.1KOHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD0730K1L.pdf | |
![]() | CSRF2010JT5L00 | RES SMD 0.005 OHM 5% 1W 2010 | CSRF2010JT5L00.pdf | |
![]() | RG2012N-1051-W-T1 | RES SMD 1.05KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1051-W-T1.pdf | |
![]() | 502FG1K | NTC Thermistor 5k DO-204AH, DO-35, Axial | 502FG1K.pdf |