Vishay BC Components SIRA12DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIRA12DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIRA12DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 360.27763
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIRA12DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIRA12DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA12DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIRA12DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIRA12DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIRA12DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIRA12DP PowerPak SO-8 Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIRA12DP-T1-GE3TR SIRA12DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIRA12DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIRA12D, SIRA12DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIRA12DP-T1-GE3 의 관련 제품
.85mm.jpg) | GRM2166S1H510JZ01D | 51pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166S1H510JZ01D.pdf | |
 | GRM1557U1H9R7CZ01D | 9.7pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1H9R7CZ01D.pdf | |
 | BFC238330104 | 0.1µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | BFC238330104.pdf | |
 | BFC247962753 | 0.075µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.315" W (18.50mm x 8.00mm) | BFC247962753.pdf | |
| BFC237530333 | 0.033µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.453" W (30.00mm x 11.50mm) | BFC237530333.pdf | |
 | FOXLF024S | 2.4576MHz ±30ppm 수정 32pF 300옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | FOXLF024S.pdf | |
| HM66-60330LFTR13 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 970mA 165 mOhm Max Nonstandard | HM66-60330LFTR13.pdf | |
| 6-1472969-4 | RELAY TIME DELAY | 6-1472969-4.pdf | |
 | MCS04020C2264FE000 | RES SMD 2.26M OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C2264FE000.pdf | |
.jpg) | AT0402DRE0736KL | RES SMD 36K OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0736KL.pdf | |
 | RG1608P-5492-B-T5 | RES SMD 54.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-5492-B-T5.pdf | |
.jpg) | TNPW120652R3BEEN | RES SMD 52.3 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120652R3BEEN.pdf |
