Vishay BC Components SIRA14DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIRA14DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIRA14DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 260.20051
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIRA14DP-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIRA14DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA14DP-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIRA14DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIRA14DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIRA14DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIRA14DP PowerPak SO-8 Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 31.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIRA14DP-T1-GE3TR SIRA14DPT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIRA14DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIRA14D, SIRA14DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIRA14DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | B43508E2567M87 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 210 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508E2567M87.pdf | |
 | D332K25Y5PF6TJ5R | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D332K25Y5PF6TJ5R.pdf | |
| V150LT20APX10 | VARISTOR 240V 6.5KA DISC 20MM | V150LT20APX10.pdf | |
 | DOC102V-019.44M | 19.44MHz LVCMOS VCOCXO Oscillator Surface Mount 3.3V | DOC102V-019.44M.pdf | |
 | AST3TQ53-V-10.000MHZ-2-SW-T5 | 10MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-V-10.000MHZ-2-SW-T5.pdf | |
| 2256-47J | 6.8mH Unshielded Molded Inductor 80mA 62 Ohm Max Axial | 2256-47J.pdf | |
 | VOM617A-8T | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP (2.54mm) | VOM617A-8T.pdf | |
 | AHA80AFB-10R | RES CHAS MNT 10 OHM 1% 80W | AHA80AFB-10R.pdf | |
.jpg) | CRCW06031K50JNEA | RES SMD 1.5K OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06031K50JNEA.pdf | |
.jpg) | RV1206FR-076M81L | RES SMD 6.81M OHM 1% 1/4W 1206 | RV1206FR-076M81L.pdf | |
.jpg) | RT0805FRD0736R5L | RES SMD 36.5 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD0736R5L.pdf | |
 | HMC561LP3TR | RF IC Frequency Multiplier General Purpose 8GHz ~ 21GHz Active Frequency Multiplier 16-SMT (3x3) | HMC561LP3TR.pdf |
