창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIRA16DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIRA10DP PowerPak SO-8 Drawing | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2060pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIRA16DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIRA16DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIRA16D, SIRA16DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | HAE472MBABRAKR | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | HAE472MBABRAKR.pdf | |
![]() | VJ0805D911JXAAR | 910pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D911JXAAR.pdf | |
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![]() | 1N5369BE3/TR12 | DIODE ZENER 51V 5W T18 | 1N5369BE3/TR12.pdf | |
![]() | RMCF1210FTR100 | RES SMD 0.1 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FTR100.pdf | |
![]() | RW2R0CB20R0J | RES SMD 20 OHM 5% 2W J LEAD | RW2R0CB20R0J.pdf | |
![]() | Y16071R82000F1R | RES SMD 1.82 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y16071R82000F1R.pdf | |
![]() | FMP300FRF73-3R | RES 3 OHM 3W 1% AXIAL | FMP300FRF73-3R.pdf | |
![]() | MS46LR-20-435-Q1-30X-30R-NC-FN | SYSTEM | MS46LR-20-435-Q1-30X-30R-NC-FN.pdf |