창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS413DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIS413DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4280pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS413DN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIS413DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS413D, SIS413DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | HS50 33R F | RES CHAS MNT 33 OHM 1% 50W | HS50 33R F.pdf | |
![]() | CPF0603F115RC1 | RES SMD 115 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F115RC1.pdf | |
![]() | RG3216P-1151-D-T5 | RES SMD 1.15K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-1151-D-T5.pdf | |
![]() | PLT1206Z1562LBTS | RES SMD 15.6KOHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z1562LBTS.pdf | |
![]() | CRCW08051M50FKTA | RES SMD 1.5M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051M50FKTA.pdf | |
![]() | 753123330GPTR13 | RES ARRAY 6 RES 33 OHM 12SRT | 753123330GPTR13.pdf | |
SBCHE422RJ | RES 22.0 OHM 4W 5% AXIAL | SBCHE422RJ.pdf | ||
![]() | ALPHA3A/0.4M/FMEF/S/S/26 | 850MHz, 868MHz, 900MHz, 915MHz, 1.8GHz, 1.9GHz, 2.1GHz, 2.4GHz Bluetooth, GPRS, GSM, UMTS, WLAN, Zigbee™ Blade RF Antenna 3dBi Connector, FME Female Adhesive | ALPHA3A/0.4M/FMEF/S/S/26.pdf |