Vishay BC Components SIS435DNT-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS435DNT-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIS435DNT-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 296.52480
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIS435DNT-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIS435DNT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS435DNT-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIS435DNT-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS435DNT-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS435DNT-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIS435DNT | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 13A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS435DNT-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIS435DNT-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS435DN, SIS435DNT-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIS435DNT-T1-GE3 의 관련 제품
-8.jpg) | CL10A226MQ8NRNE | 22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10A226MQ8NRNE.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C821J2GACTU | 820pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C821J2GACTU.pdf | |
-.7.jpg) | CGA4C4NP02W121J060AA | 120pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4C4NP02W121J060AA.pdf | |
 | K182J15C0GF5UH5 | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K182J15C0GF5UH5.pdf | |
 | 12063C104MAT2T | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063C104MAT2T.pdf | |
 | BFC237019104 | 0.1µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237019104.pdf | |
| MKP385530016JKP2T0 | 3µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP385530016JKP2T0.pdf | |
 | 416F36035CAR | 36MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035CAR.pdf | |
| SIT8008AI-13-33E-24.545454E | OSC XO 3.3V 24.545454MHZ | SIT8008AI-13-33E-24.545454E.pdf | |
 | 1432785-1 | Automotive Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Socketable | 1432785-1.pdf | |
 | RG3216V-6801-W-T1 | RES SMD 6.8K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-6801-W-T1.pdf | |
| P61-200-S-A-I12-4.5V-C | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P61-200-S-A-I12-4.5V-C.pdf |
