창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS438DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIS438DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 27.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS438DN-T1-GE3-ND SIS438DN-T1-GE3TR SIS438DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIS438DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS438D, SIS438DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | LP682M035E5P3 | 6800µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 60 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | LP682M035E5P3.pdf | |
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![]() | AST3TQ-T-40.000MHZ-28 | 40MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-T-40.000MHZ-28.pdf | |
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![]() | CRCW201010K7FKTF | RES SMD 10.7K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201010K7FKTF.pdf | |
![]() | CRCW121062R0JNEAHP | RES SMD 62 OHM 5% 3/4W 1210 | CRCW121062R0JNEAHP.pdf | |
![]() | AT0402CRD07160RL | RES SMD 160 OHM 0.25% 1/16W 0402 | AT0402CRD07160RL.pdf | |
![]() | 315000100021 | HERMETIC THERMOSTAT | 315000100021.pdf |