Vishay BC Components SIS478DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS478DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIS478DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 268.72567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIS478DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIS478DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS478DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIS478DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS478DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS478DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIS478DN-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 398pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 15.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIS478DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS478D, SIS478DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIS478DN-T1-GE3 의 관련 제품
-2.jpg) | C0402X5R1A103M020BC | 10000pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402X5R1A103M020BC.pdf | |
 | MKT1818422064G | 0.22µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | MKT1818422064G.pdf | |
 | BFC233911332 | 3300pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC233911332.pdf | |
 | TC-49.152MDE-T | 49.152MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-49.152MDE-T.pdf | |
 | 1N4117 (DO35) | DIODE ZENER 25V 400MW DO35 | 1N4117 (DO35).pdf | |
 | VLS4012ET-100M-CA | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.33A 228 mOhm Max Nonstandard | VLS4012ET-100M-CA.pdf | |
 | SD3112-220-R | 22µH Shielded Wirewound Inductor 370mA 953 mOhm Nonstandard | SD3112-220-R.pdf | |
 | SPD127-105M | 1mH Shielded Wirewound Inductor 620mA 1.54 Ohm Max Nonstandard | SPD127-105M.pdf | |
 | MCR25JZHJ105 | RES SMD 1M OHM 5% 1/4W 1210 | MCR25JZHJ105.pdf | |
.jpg) | RT1206CRE07150RL | RES SMD 150 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE07150RL.pdf | |
| Y07063K30000F0L | RES 3.3K OHM .4W 1% RADIAL | Y07063K30000F0L.pdf | |
 | CPR2022R10JF10 | RES 22.1 OHM 20W 5% RADIAL | CPR2022R10JF10.pdf |
