창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS478DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIS478DN-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 398pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 15.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIS478DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS478D, SIS478DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
C1206C682K2RALTU | 6800pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C682K2RALTU.pdf | ||
B88069X8390B502 | GDT 350V 20% 10KA FAIL SHORT | B88069X8390B502.pdf | ||
SM5S36A-TP | TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO-218AB | SM5S36A-TP.pdf | ||
STTH16L06CFP | DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220FP | STTH16L06CFP.pdf | ||
GL41GHE3/96 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | GL41GHE3/96.pdf | ||
VS-VSKE166/08PBF | DIODE GEN PURP 800V 165A INTAPAK | VS-VSKE166/08PBF.pdf | ||
SI4833ADY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | SI4833ADY-T1-GE3.pdf | ||
SML-310MTT86 | Green LED Indication - Discrete 2.2V 0603 (1608 Metric) | SML-310MTT86.pdf | ||
L-14WR47JV4E | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 5.6 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | L-14WR47JV4E.pdf | ||
PTN1206E5232BST1 | RES SMD 52.3K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E5232BST1.pdf | ||
ENW-89827C2KF | RF TXRX MODULE BLUETOOTH | ENW-89827C2KF.pdf | ||
MLX92251LSE-AAA-000-RE | IC HALL EFFECT LATCH DUAL TSOT5 | MLX92251LSE-AAA-000-RE.pdf |