Vishay BC Components SIS892DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS892DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIS892DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 682.00704
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIS892DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIS892DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS892DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIS892DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS892DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS892DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SIS892DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | ThunderFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 611pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS892DN-T1-GE3TR SIS892DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIS892DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS892D, SIS892DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SIS892DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | C320C150J2G5TA | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | C320C150J2G5TA.pdf | |
 | SR201A222JAATR-I | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201A222JAATR-I.pdf | |
 | BFC2370CB564 | 0.56µF Film Capacitor 40V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC2370CB564.pdf | |
| BFC236862184 | 0.18µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.354" W (26.00mm x 9.00mm) | BFC236862184.pdf | |
 | 416F32022IAR | 32MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32022IAR.pdf | |
 | SIT9002AC-03H33SG | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 84mA Standby | SIT9002AC-03H33SG.pdf | |
 | LTF4022T-220M-D | 22µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 2-SMD | LTF4022T-220M-D.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW0805287RBEEA | RES SMD 287 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805287RBEEA.pdf | |
 | CMF60806R00FKBF | RES 806 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60806R00FKBF.pdf | |
 | 59010-1-T-03-A | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads Probe | 59010-1-T-03-A.pdf | |
| TLE4954CBE2XTMA1 | IC HALL EFFECT SENSOR SSOM-2 | TLE4954CBE2XTMA1.pdf | |
| 2450R83760023 | THERMOSTAT 71.1C NO QC | 2450R83760023.pdf |
