Vishay BC Components SISA10DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SISA10DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SISA10DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SISA10DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SISA10DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISA10DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SISA10DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SISA10DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SISA10DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SISA10DN | |
| 제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2425pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SISA10DN-T1-GE3TR SISA10DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SISA10DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SISA10D, SISA10DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SISA10DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | UHW1J561MHD1TO | 560µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHW1J561MHD1TO.pdf | |
 | UHV0J222MPD1TD | 2200µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | UHV0J222MPD1TD.pdf | |
-14.jpg) | C2012X7R0J475K085AB | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R0J475K085AB.pdf | |
 | VJ0603D300GXAAJ | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D300GXAAJ.pdf | |
 | SIT1602BIR33-33E-33.000000T | OSC XO 3.3V 33MHZ OE | SIT1602BIR33-33E-33.000000T.pdf | |
 | TZX3V6B-TR | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | TZX3V6B-TR.pdf | |
| CLX6B-FKC-CM1Q1H1BB7D3D3 | Red, Green, Blue (RGB) 622nm Red, 530nm Green, 470nm Blue LED Indication - Discrete 2.1V Red, 3V Green, 3.2V Blue 6-SMD, J-Lead | CLX6B-FKC-CM1Q1H1BB7D3D3.pdf | |
 | ELC-10D332E | 3.3mH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 3.2 Ohm Radial | ELC-10D332E.pdf | |
 | MCR03EZPFX1181 | RES SMD 1.18K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX1181.pdf | |
 | RWM063422R0JS09E1 | RESISTOR 22 OHM 8W 5% WIREWOUND | RWM063422R0JS09E1.pdf | |
| Y002433K0000B9L | RES 33K OHM .3W .1% RADIAL | Y002433K0000B9L.pdf | |
 | AD22100AR-REEL7 | SENSOR TEMP ANLG VOLT 8-SOIC | AD22100AR-REEL7.pdf |
