Vishay BC Components SISA10DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SISA10DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SISA10DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SISA10DN-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SISA10DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISA10DN-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SISA10DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SISA10DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SISA10DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SISA10DN | |
| 제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2425pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SISA10DN-T1-GE3TR SISA10DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SISA10DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SISA10D, SISA10DN-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SISA10DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ0603Y104KXJCW1BC | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603Y104KXJCW1BC.pdf | |
 | B37981M5104K054 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37981M5104K054.pdf | |
 | TV30C181JB-G | TVS DIODE 180VWM 291.6VC SMC | TV30C181JB-G.pdf | |
 | ASGTX-P-100.000MHZ-2-T2 | 100MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-100.000MHZ-2-T2.pdf | |
 | FN9246-3-06 | FILTER HI PERFORM IEC INLET 3A | FN9246-3-06.pdf | |
| SP1008R-682J | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 282mA 1.43 Ohm Max Nonstandard | SP1008R-682J.pdf | |
.jpg) | RC2512FK-0746K4L | RES SMD 46.4K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0746K4L.pdf | |
 | CRCW25122M20FKTG | RES SMD 2.2M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25122M20FKTG.pdf | |
.jpg) | RT2010DKE0711R8L | RES SMD 11.8 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0711R8L.pdf | |
| Y40455K00000Q0W | RES SMD 5K OHM 0.02% 1/20W 0505 | Y40455K00000Q0W.pdf | |
 | YC248-FR-07750KL | RES ARRAY 8 RES 750K OHM 1606 | YC248-FR-07750KL.pdf | |
 | RTO020FR4700JTE3 | RES 0.47 OHM 20W 5% TO220 | RTO020FR4700JTE3.pdf |
