SiTIME SIT1602ACF8-30E
- 제조업체 부품 번호
- SIT1602ACF8-30E
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT1602ACF8-30E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,243.21000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT1602ACF8-30E, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT1602ACF8-30E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT1602ACF8-30E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT1602ACF8-30E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT1602ACF8-30E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT1602ACF8-30E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SiT1602 Datasheet SIT1602 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT1602 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 3.75MHz ~ 77.76MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | HCMOS, LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 3V | |
| 주파수 안정도 | - | |
| 주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.039"(1.00mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT1602ACF8-30E | |
| 관련 링크 | SIT1602, SIT1602ACF8-30E Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT1602ACF8-30E 의 관련 제품
 | CK45-R3AD332K-NR | 3300pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.531" Dia(13.50mm) | CK45-R3AD332K-NR.pdf | |
 | GRM0335C1E5R3CD01D | 5.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E5R3CD01D.pdf | |
 | GT-RLSAE350 | GDT 350V 10% 1.5KA THROUGH HOLE | GT-RLSAE350.pdf | |
 | P6KE300A-HF | TVS DIODE 256VWM 414VC DO15 | P6KE300A-HF.pdf | |
 | DSC1101AM2-004.0000 | 4MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101AM2-004.0000.pdf | |
 | MBRB1645HE3/81 | DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB | MBRB1645HE3/81.pdf | |
 | S1210R-393J | 39µH Shielded Inductor 179mA 5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-393J.pdf | |
 | Y14730R05000B0R | RES SMD 0.05 OHM 0.1% 2W 3637 | Y14730R05000B0R.pdf | |
 | 768163222GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 2.2K OHM 16SOIC | 768163222GPTR13.pdf | |
 | ERG-3SJ621V | RES 620 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ621V.pdf | |
| Y00585R00000F0L | RES 5 OHM 0.3W 1% AXIAL | Y00585R00000F0L.pdf | |
 | 1210A-030D-3S | Pressure Sensor 30 PSI (206.84 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 mV ~ 100 mV 8-DIP Module | 1210A-030D-3S.pdf |
