창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT1602ACU3-33E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT1602 Datasheet SIT1602 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT1602 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 3.75MHz ~ 77.76MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | - | |
주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT1602ACU3-33E | |
관련 링크 | SIT1602, SIT1602ACU3-33E Datasheet, SiTIME Distributor |
VJ0603D1R1BLBAC | 1.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1BLBAC.pdf | ||
2225GC221KAT1A | 220pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225GC221KAT1A.pdf | ||
MKP383275250JIM2T0 | 7500pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | MKP383275250JIM2T0.pdf | ||
ECW-H8203JL | 0.02µF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | ECW-H8203JL.pdf | ||
LCE18A | TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO201 | LCE18A.pdf | ||
416F30013AAR | 30MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30013AAR.pdf | ||
402F16033CKT | 16MHz ±30ppm 수정 8pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F16033CKT.pdf | ||
SIT3807AI-D-18SH | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Standby | SIT3807AI-D-18SH.pdf | ||
NSB8KT-E3/81 | DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB | NSB8KT-E3/81.pdf | ||
ZDS020N60TB | MOSFET N-CH 600V 8SOIC | ZDS020N60TB.pdf | ||
IDCP3020ER100M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 70 mOhm Max Nonstandard | IDCP3020ER100M.pdf | ||
1 INCH-G-P4V-MINI | Pressure Sensor 0.04 PSI (0.25 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (2.03mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module | 1 INCH-G-P4V-MINI.pdf |