창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT2018BEBS3-18N-8.000000E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT2018B | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT2018BEBS3-18N-8.000000E | |
관련 링크 | SIT2018BEBS3-, SIT2018BEBS3-18N-8.000000E Datasheet, SiTIME Distributor |
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![]() | BFC237169394 | 0.39µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | BFC237169394.pdf | |
![]() | BFC238352273 | 0.027µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | BFC238352273.pdf | |
![]() | 109D685X9075C2 | 6.8µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 8 Ohm 0.219" Dia x 0.608" L (5.56mm x 15.45mm) | 109D685X9075C2.pdf | |
![]() | 4P200F35IET | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P200F35IET.pdf | |
![]() | BY458TR | DIODE AVALANCHE 1.2KV 2A SOD57 | BY458TR.pdf | |
![]() | 333-2UYC/H3/S530-A3 | Yellow 589nm LED Indication - Discrete 2V Radial | 333-2UYC/H3/S530-A3.pdf | |
![]() | AISC-1008HQ-R10J-T | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 160 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008HQ-R10J-T.pdf | |
![]() | CRCW0402182RFKED | RES SMD 182 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402182RFKED.pdf | |
![]() | RCWE1020R511FKEA | RES SMD 0.511 OHM 2W 2010 WIDE | RCWE1020R511FKEA.pdf | |
![]() | 1705940000 | CONN SAI 8 M M12 4POS | 1705940000.pdf | |
1DC302J | NTC Thermistor 3k Disc, 2.5mm Dia x 2.0mm W | 1DC302J.pdf |