SiTIME SIT3809AI-G-25EG
- 제조업체 부품 번호
- SIT3809AI-G-25EG
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 36mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT3809AI-G-25EG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 18,916.05800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT3809AI-G-25EG, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT3809AI-G-25EG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT3809AI-G-25EG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT3809AI-G-25EG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT3809AI-G-25EG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3809AI-G-25EG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SiT3809 Datasheet SIT3809 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3809 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 80MHz ~ 220MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 36mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.106" L x 0.094" W(2.70mm x 2.40mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3809AI-G-25EG | |
| 관련 링크 | SIT3809A, SIT3809AI-G-25EG Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT3809AI-G-25EG 의 관련 제품
 | 860160274032 | 1200µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 860160274032.pdf | |
 | B32921C3683M189 | 0.068µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32921C3683M189.pdf | |
 | UGB12JT-E3/81 | DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB | UGB12JT-E3/81.pdf | |
 | SFH 4949 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 40mA 50mW/sr @ 40mA 20° 18-DIP | SFH 4949.pdf | |
.jpg) | LQP02HQ1N3C02E | 1.3nH Unshielded Thin Film Inductor 700mA 80 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ1N3C02E.pdf | |
 | ERJ-1GEJ821C | RES SMD 820 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GEJ821C.pdf | |
.jpg) | AR0805FR-07182RL | RES SMD 182 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-07182RL.pdf | |
| AA0603JR-071RL | RES SMD 1 OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-071RL.pdf | |
 | MCT06030D5100BP500 | RES SMD 510 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D5100BP500.pdf | |
| MCT06030D2491BP500 | RES SMD 2.49KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2491BP500.pdf | |
 | PAT0603E2710BST1 | RES SMD 271 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2710BST1.pdf | |
| Y16243K30000Q24R | RES SMD 3.3K OHM 0.02% 1/5W 0805 | Y16243K30000Q24R.pdf |
