창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-82-33E-100.700000Y | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT8008 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AI-82-33E-100.700000Y | |
관련 링크 | SIT8008AI-82-3, SIT8008AI-82-33E-100.700000Y Datasheet, SiTIME Distributor |
![]() | CMR07F153GPDR | CMR MICA | CMR07F153GPDR.pdf | |
![]() | ATV04A131J-HF | TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AC | ATV04A131J-HF.pdf | |
![]() | ASGTX-C-106.250MHZ-1-T | 106.25MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 45mA | ASGTX-C-106.250MHZ-1-T.pdf | |
![]() | STW34N65M5 | MOSFET N-CH 650V 28A TO-247 | STW34N65M5.pdf | |
![]() | DFE252008C-3R3M=P2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 252 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252008C-3R3M=P2.pdf | |
![]() | ERA-3AEB1781V | RES SMD 1.78KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB1781V.pdf | |
![]() | ERA-6APB243V | RES SMD 24K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6APB243V.pdf | |
![]() | ERA-8APB5620V | RES SMD 562 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB5620V.pdf | |
![]() | HRG3216P-3832-B-T5 | RES SMD 38.3K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-3832-B-T5.pdf | |
![]() | MSP06A0120K0GEJ | RES ARRAY 5 RES 20K OHM 6SIP | MSP06A0120K0GEJ.pdf | |
![]() | MSF4800S-30-0280-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800S-30-0280-10X-10R.pdf | |
![]() | 3106U00430079 | HERMETIC THERMOSTAT | 3106U00430079.pdf |