SiTIME SIT8008AI-82-33E-85.000000X

SIT8008AI-82-33E-85.000000X
제조업체 부품 번호
SIT8008AI-82-33E-85.000000X
제조업 자
제품 카테고리
발진기
간단한 설명
85MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
SIT8008AI-82-33E-85.000000X 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,048.51168
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIT8008AI-82-33E-85.000000X, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT8008AI-82-33E-85.000000X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT8008AI-82-33E-85.000000X, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIT8008AI-82-33E-85.000000X 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIT8008AI-82-33E-85.000000X 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIT8008AI-82-33E-85.000000X
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SiT8008 Datasheet
PCN 포장TR Pkg Update 27/Jul/2016
종류수정 및 발진기
제품군발진기
제조업체SiTIME
계열SiT8008
포장테이프 및 릴(TR)
유형MEMS(실리콘)
주파수85MHz
기능활성화/비활성화
출력HCMOS, LVCMOS
전압 - 공급3.3V
주파수 안정도±25ppm
작동 온도-40°C ~ 85°C
전류 - 공급(최대)4.5mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
크기/치수0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm)
높이0.039"(1.00mm)
패키지/케이스4-SMD, 무연(DFN, LCC)
전류 - 공급(비활성화)(최대)4mA
표준 포장 250
다른 이름1473-1176-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIT8008AI-82-33E-85.000000X
관련 링크SIT8008AI-82-, SIT8008AI-82-33E-85.000000X Datasheet, SiTIME Distributor
SIT8008AI-82-33E-85.000000X 의 관련 제품
0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 0805YC104K4T2A.pdf
1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08052U1R2BAT2A.pdf
GDT 600V 5KA THROUGH HOLE AC240L.pdf
TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC DO-214A SM15T24A-M3/57T.pdf
40.61MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40625AAT.pdf
OSC XO 3.3V 25MHZ SIT8008BI-11-33E-25.000000E.pdf
1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V SIT9002AC-08N18DO.pdf
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD882 DB2631100L.pdf
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 ECH8601M-C-TL-HX.pdf
4.7mH Unshielded Inductor 34mA 72.1 Ohm Max Nonstandard CDC4D20NP-472KC.pdf
56µH Unshielded Wirewound Inductor 940mA 240 mOhm Max Nonstandard PD75R-563K.pdf
RES SMD 240 OHM 2% 11W 1206 RCP1206B240RGEC.pdf